近日,華為密集公布了多項(xiàng)技術(shù)專利,其中引人注意的是華為再次公布了兩項(xiàng)與芯片堆疊有關(guān)的專利。為何說再次,因?yàn)榫驮谝粋€(gè)月前,華為同樣公開了“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”的專利。多項(xiàng)與芯片堆疊相關(guān)專利的公開,或許也揭露了華為未來在芯片技術(shù)上的一個(gè)發(fā)展方向。
華為芯片堆疊技術(shù)之路
本次華為所公布的兩項(xiàng)芯片堆疊相關(guān)專利非常有意思,一項(xiàng)是“一種多芯片堆疊封裝及制作方法”(申請(qǐng)公布號(hào):CN114287057A),用來解決多芯片的應(yīng)力集中問題,能夠以進(jìn)行更多層芯片的堆疊。
另一項(xiàng)為“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備”(申請(qǐng)公布號(hào):CN114450786A),用于解決如何將多個(gè)副芯片堆疊單元可靠的鍵合在同一主芯片堆疊單元上的問題。
如果往前翻,可以發(fā)現(xiàn)早在2012年,華為便已經(jīng)對(duì)芯片堆疊技術(shù)進(jìn)行專利公開,該專利為“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)”(申請(qǐng)公布號(hào):CN102693968A),主要設(shè)計(jì)芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)芯片的高密度堆疊,提高芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率。
其后幾年,華為也在不斷對(duì)外公開其芯片堆疊的相關(guān)技術(shù),足以證明長(zhǎng)期以來華為都在這項(xiàng)技術(shù)上深耕研發(fā)。
眾多廠商競(jìng)逐芯片堆疊技術(shù)
從國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局所公布的專利來看,在芯片堆疊技術(shù)上并非華為的專場(chǎng),眾多半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行相關(guān)研發(fā)探索。如三星電子、賽靈思、博世、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等,而芯片堆疊技術(shù)為何會(huì)受到如此多廠商的青睞?
芯片堆疊,也就是封裝堆疊,或者一個(gè)更廣為人知的稱呼是3D封裝,這項(xiàng)技術(shù)的確是未來半導(dǎo)體發(fā)展的重要方向。
為何如此說?這就需要談到目前芯片工藝制程發(fā)展了。隨著芯片工藝制程的快速發(fā)展,其效益卻面臨著邊際遞減的問題,也就是說先進(jìn)工藝制程可以讓芯片的性能更強(qiáng)、功耗更低,但卻無法使得芯片變得更便宜。
一個(gè)直觀的感受是,如今高端旗艦手機(jī)價(jià)格越來越昂貴了,而其中成本的大頭來自手機(jī)SoC,5nm的芯片要比7nm貴的多。也許不少消費(fèi)者認(rèn)為理所應(yīng)當(dāng),但在過去可不是如此。
在芯片工藝制程發(fā)展之初,先進(jìn)制程不僅能帶來更強(qiáng)勁的性能,讓芯片變得更小,同時(shí)也能讓晶體管成本下降。但從28nm以后,這個(gè)趨勢(shì)被打破了,這也是為何許多對(duì)性能與功耗要求不高的芯片仍然采用28nm制程,因?yàn)檫@樣具有最佳性價(jià)比。
那么不想增加成本用更先進(jìn)的制程,又想擁有更強(qiáng)的性能,有沒有方法實(shí)現(xiàn)呢?當(dāng)然有,那就是采用芯片堆疊技術(shù)。比如英國(guó)的AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow,采用臺(tái)積電7nm工藝生產(chǎn),經(jīng)過臺(tái)積電研發(fā)的3D WoW硅晶圓堆疊技術(shù)封裝后,性能提升了40%,功耗降低16%。
這是什么概念,要知道臺(tái)積電宣傳時(shí)的5nm工藝相比7nm在同等功耗下提升15%的性能,而在同等功耗下則可以提升30%的性能,對(duì)比來看,芯片堆疊技術(shù)反而表現(xiàn)更強(qiáng)。
臺(tái)積電的這項(xiàng)3D WoW硅晶圓堆疊技術(shù),自2018年被提出,可以認(rèn)為是類似于3D NAND閃存多層堆疊一樣,將兩層Die以鏡像方式垂直堆疊起來,以更先進(jìn)的封裝技術(shù)提升芯片性能。
有了芯片堆疊技術(shù),就能夠讓廠商以成熟工藝來獲得更高的性能,同時(shí)還能降低成本,畢竟成熟工藝良率更高,產(chǎn)能更大。
芯片堆疊技術(shù)能否幫助華為渡過燃眉之急
就在不久前舉辦的華為2021年業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上,時(shí)任華為輪值董事長(zhǎng)的郭平表示,未來華為可能會(huì)采用多核結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)方案,以提升性能。同時(shí),采用面積換性能,用堆疊換性能,使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來的產(chǎn)品里面,能夠具有競(jìng)爭(zhēng)力。
其中的面積換性能、堆疊換性能,指的大概就是芯片堆疊技術(shù)了。顯然對(duì)于這項(xiàng)技術(shù),華為予以厚望。
同時(shí)在上個(gè)月召開的華為折疊屏及全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)中,華為常務(wù)董事、終端BG CEO、智能汽車解決方案BU CEO余承東更是公開表示,當(dāng)前華為手機(jī)的供應(yīng)得到了極大地改善,去年華為手機(jī)供應(yīng)很困難,而今年華為手機(jī)開始回來了,所以大家想買華為產(chǎn)品,華為手機(jī)都能買到,這是一個(gè)最大的好消息。
如果余承東沒有說“大話”,那么可以大膽的推測(cè),華為在今年開始逐步解決芯片供給問題,而解決供應(yīng)問題的一項(xiàng)方法便是采用芯片堆疊技術(shù)。
就如同Graphcore的AI芯片Bow一樣,能夠使7nm芯片通過堆疊技術(shù)之后性能要強(qiáng)于5nm。蘋果公司在今年的春季發(fā)布會(huì)上,便帶來了一款名為“M1 Ultra”的芯片,該蘋果采用特殊的封裝工藝,將兩塊M1 Max芯片串聯(lián)到了一起,從而實(shí)現(xiàn)了90%的性能提升。
顯然,華為也可以通過類似方法讓低制程芯片也煥發(fā)出新的生機(jī),從而得到更高的性能表現(xiàn),實(shí)現(xiàn)讓華為的產(chǎn)品具備一定市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的承諾。在一定程度上來說,使用芯片堆疊技術(shù),的確能夠幫助華為解決無法獲得先進(jìn)制程芯片下,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力缺失的問題。
寫在最后
需要注意的是,芯片堆疊技術(shù)并非萬能。誠(chéng)然,在一代制程差距內(nèi),通過芯片堆疊技術(shù)可以讓低制程芯片在性能接近甚至超越高制程芯片,并且還能擁有良品率高、成本低等優(yōu)勢(shì),但這也是有極限的。
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